手持式四探針測(cè)試儀硅材料電阻率測(cè)試儀RTS-3型手持式四探針測(cè)試儀體積小，精度高，測(cè)量范圍寬，運(yùn)用四探針原理能夠測(cè)量硅晶塊、晶片電阻率及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻。

產(chǎn)品型號(hào)：SN/RTS-3

更新時(shí)間：2024-10-20

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手持式四探針測(cè)試儀硅材料電阻率測(cè)試儀

型號(hào)：SN/RTS-3

RTS-3型手持式四探針測(cè)試儀體積小，精度高，測(cè)量范圍寬，運(yùn)用四探針原理能夠測(cè)量硅晶塊、晶片電阻率及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻。

技術(shù)參數(shù)：

測(cè)量范圍	電阻率：0.01～1999.9Ω.cm；方塊電阻：0.1～19999Ω/□；
恒流源	電流量程分為100μA、1mA兩檔，兩檔電流連續(xù)可調(diào)
數(shù)字電壓表	量程及表示形式：000.00～199.99mV；分辨力：10μV；輸入阻抗：>1000MΩ；精度：±0.1%；顯示：以大屏幕LCD顯示讀數(shù)，直觀清晰；極性、超量程自動(dòng)顯示；
四探針探頭基本指標(biāo)	間距：1±0.01mm；針間絕緣電阻：≥1000MΩ；機(jī)械游移率：≤0.3%；探針：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm；探針壓力：5～16 牛頓(總力)；
四探針探頭應(yīng)用參數(shù)	(見探頭附帶的合格證)
模擬電阻測(cè)量相對(duì)誤差 ( 按JJG508-87進(jìn)行)	1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字
整機(jī)測(cè)量zui大相對(duì)誤差	(用硅標(biāo)樣片：0.01-180Ω.cm測(cè)試)≤±5%
整機(jī)測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)不確定度	≤5%
外型尺寸	185mm(長(zhǎng))90mm(寬)30mm(高)
重量	350g
電源	鋰電池，一次充電可連續(xù)使用100小時(shí)；
標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境	溫度：23±2℃；相對(duì)濕度：≤65%；無高頻干擾；無強(qiáng)光直射